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      商品編號:70312
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      LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

      價    格:詢價

      產    地:德國更新時間:2019/7/15 13:41:34

      品    牌:屹持光電技術型    號:LT-GaAs

      狀    態:正常點擊量:424

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      上海屹持光電技術有限公司

      聯 系 人:薛先生

      電     話:02162209657

      傳     真:021-54843093

      等     級: (第 4年)

      性     質:生產型,

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      LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

      ? ? GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物,黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在,并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料,其電子遷移率高、介電常數小,能引入深能級雜質、電子有效質量小,能帶結構特殊,可作外延片。

      1、半導體光電子器件結構生長

      ??? 我們可在GaAs砷化鎵基底上生長高質量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層,適用于不同應用。

      2、低溫砷化鎵

      ????對于某些應用需要快速響應裝置,例如光學探測器、可飽和吸收器?或光電導天線。我們提供低溫外延生長器件,響應時間短至1 ps。

      ????我們可提供以下在GaAs襯底上生長的一個或兩個單層的低溫砷化鎵:



      產品參數

      參數:

      • 砷化鎵晶片直徑:2“或4”

      • 最大薄膜疊層厚度:5μm

      規格:

      • LT-GaAs-50.8:2“(50.8mm)LT-GaAs晶片

      • LT-GaAs-100:4“(100mm)LT-GaAs晶片

      • LT-InGaAs-100:4“(100 mm)LT-InGaAs晶圓

      • LT-GaA-100-C:具有定制金屬結構的4“(100 mm)LT-GaAs晶圓



      產品介紹

      LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

      ? ? GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物,黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在,并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料,其電子遷移率高、介電常數小,能引入深能級雜質、電子有效質量小,能帶結構特殊,可作外延片。

      1、半導體光電子器件結構生長

      ??? 我們可在GaAs砷化鎵基底上生長高質量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層,適用于不同應用。

      2、低溫砷化鎵

      ????對于某些應用需要快速響應裝置,例如光學探測器、可飽和吸收器?或光電導天線。我們提供低溫外延生長器件,響應時間短至1 ps。

      ????我們可提供以下在GaAs襯底上生長的一個或兩個單層的低溫砷化鎵:




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