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      金屬氧化物半導體場效應晶體管 BSZ440N10NS3G
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      • 金屬氧化物半導體場效應晶體管 BSZ440N10NS3G

      金屬氧化物半導體場效應晶體管 BSZ440N10NS3G

      產品報價:11元

      更新時間:2019/8/7 11:53:59

      地:德國

      牌:Infineon

      號: BSZ440N10NS3G

      廠商性質:

      公司名稱: 深圳市星際金華實業有限公司

      產品關鍵詞: BSZ440N10NS3G   IC芯片   電子元器件   集成電路   晶體管  

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      星際金華提供 金屬氧化物半導體場效應晶體管 BSZ440N10NS3G:


      金屬氧化物半導體場效應晶體管 BSZ440N10NS3G


      規格:

      FET 類型 N 溝道

      技術 MOSFET(金屬氧化物)

      漏源電壓(Vdss) 100V

      電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 5.3A(Ta),18A(Tc)

      驅動電壓  6V,10V

      不同 Id,Vgs 時的 Rds On  44 毫歐 @ 12A,10V

      不同 Id 時的 Vgs(th)  2.7V @ 12μA

      不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)  9.1nC @ 10V

      Vgs  ±20V

      不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)  640pF @ 50V

      FET 功能 -

      功率耗散  29W(Tc)

      工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

      安裝類型 表面貼裝

      供應商器件封裝 PG-TSDSON-8

      封裝/外殼 8-PowerTDFN


      特征:

      用于高頻應用的極低柵極電荷

      針對DC-DC轉換進行了優化

      N通道,正常水平

      出色的柵極電荷x RDS(on)產品(FOM)

      極低的導通電阻RDS(on)

      150°C工作溫度

      無鉛鉛電鍍;符合RoHS標準


      星際金華公司提供上述型號 金屬氧化物半導體場效應晶體管 BSZ440N10NS3G ,庫存充足,原裝現貨,歡迎咨詢!


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